发明名称 |
薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法,所述薄膜晶体管阵列基板包括:基板;透明电极层,包括像素电极,形成于所述基板上方;栅金属层,包括栅电极及栅线,其中栅电极和一部分栅线形成在基板上方;栅绝缘层,覆盖于所述基板、像素电极、栅电极和栅线上方;有源层,形成于栅绝缘层的上方且与栅电极相对;源漏电极层,包括源极、漏极和数据线、以及另一部分栅线,形成于有源层及栅绝缘层的上方;其中所述栅绝缘层上形成有连通孔及过孔,两部分栅线之间通过所述连通孔连通,所述漏极与所述像素电极通过所述过孔连通。本发明的阵列基板,简化了生产工艺,降低了生产成本,缩短了生产周期。 |
申请公布号 |
CN103872040A |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
CN201210546167.9 |
申请日期 |
2012.12.14 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
耿军;侯智;吴代吾;杨子衡;谢少华;李茜茜;喻玥 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 |
代理人 |
武晨燕;张颖玲 |
主权项 |
一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板包括:基板、栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层及透明电极层;其中,所述透明电极层,包括像素电极,形成于所述基板上方;栅金属层,包括栅电极及栅线,其中栅电极和一部分栅线形成在所述基板上方;栅绝缘层,覆盖于所述基板、所述像素电极、所述栅电极和所述栅线上方;有源层,形成于所述栅绝缘层的上方且与所述栅电极相对;源漏电极层,包括源极、漏极和数据线、以及另一部分栅线,形成于所述有源层及所述栅绝缘层的上方;其中所述栅绝缘层上形成有连通孔及过孔,两部分栅线之间通过所述连通孔连通,所述漏极与所述像素电极通过所述过孔连通。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |