| 发明名称 | 功率半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种功率半导体器件及其制造方法，所述功率半导体器件包括：主体区域，具有第一导电性；阱区，形成在主体区域的上部中，并且具有第二导电性；以及导电通过件，形成在主体区域中，同时穿过所述阱区。 | ||
| 申请公布号 | CN103872134A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201310685135.1 | 申请日期 | 2013.12.13 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 金洸洙;徐范锡;郑仁和;朴志贤;朴在勋 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 王兆赓;戴嵩玮 |
| 主权项 | 一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：主体区域，具有第一导电性；阱区，形成在主体区域的上部中，并且具有第二导电性；以及导电通过件，形成在主体区域中，同时穿过所述阱区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||