发明名称 |
一种增强微穿通型IGBT |
摘要 |
本发明公开了一种在微穿通型IGBT的基础上改进,实现导通功率损耗进一步降低的增强微穿通型IGBT,属于半导体器件技术领域。该IGBT包括栅极、栅氧、P<sup>-</sup>基区、源区、第二导电类型P<sup>+</sup>区、漂移区、集电极,漂移区和集电极之间加入有第一导电类型n区,形成微穿通区,微穿通区的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度;P<sup>-</sup>基区和漂移区之间加入有第一导电类型n区,形成载流子减速层,载流子减速层的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度。该增强微穿通型IGBT更进一步降低了器件导通功率损耗。 |
申请公布号 |
CN103872115A |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
CN201210540053.3 |
申请日期 |
2012.12.13 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
发明人 |
朱阳军;张文亮;张杰;田晓丽;卢烁今;胡爱斌 |
分类号 |
H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/739(2006.01)I |
代理机构 |
北京华沛德权律师事务所 11302 |
代理人 |
刘丽君 |
主权项 |
一种增强微穿通型IGBT,包括栅极、栅氧、P<sup>‑</sup>基区、源区、第二导电类型P<sup>+</sup>区、漂移区、集电极,所述漂移区和所述集电极之间加入有第一导电类型n区,形成微穿通区,所述微穿通区的掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度;其特征在于,所述P<sup>‑</sup>基区和所述漂移区之间加入有第一导电类型n区,形成载流子减速层,所述载流子减速层的掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |