| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：衬底，所述衬底包括有源区和与所述有源区邻接的至少一个沟槽隔离区；栅极结构，所述栅极结构位于所述有源区上；至少一个内部互连层，所述内部互连层位于所述衬底之上，且在所述栅极结构的侧面，并且所述内部互连层至少覆盖所述有源区的一部分和相应的沟槽隔离区的至少一部分。根据本公开，可以有效降低半导体装置的尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN103871882A | 申请公布日期 | 2014.06.18 |
| 申请号 | CN201210545982.3 | 申请日期 | 2012.12.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 曹国豪;蒲贤勇;汪铭;程勇;宋慧芳 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括有源区和与所述有源区邻接的至少一个沟槽隔离区；在所述有源区上形成栅极结构；在所述衬底之上形成至少一个内部互连层，所述内部互连层位于所述栅极结构的侧面，并且所述内部互连层至少覆盖所述有源区的一部分和相应的沟槽隔离区的至少一部分。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||