半导体装置的栅极结构、半导体装置及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种半导体装置的栅极结构、半导体装置及其制造方法。该制造方法，包含形成一具有多层半导体材料的结构。在此多层结构中进行一次或多次蚀刻工艺，且随后对此半导体多层结构进行氩/氧处理，此氩/氧处理的方式是让此半导体结构暴露在氩离子撞击与氧分子中氧化。此氩/氧处理可以用来形成瓶状结构。同时本发明还提供了一种半导体装置的栅极结构和半导体装置。本发明可以有效地增加蚀刻的临界尺寸而不需要利用产生更多的副产物的工艺及不会需要引入不稳定的工艺或设备，并且不会严重地增加工艺的成本。

主权项

一种制造一半导体装置的方法，其特征在于其包括以下步骤：形成一具有多层的栅极结构；蚀刻该栅极结构；以及在该栅极结构的最终过度蚀刻之前进行氩／氧处理，以形成一瓶状栅极结构；该瓶状栅极结构包含自一晶圆侧的一第一宽度、一第二宽度在该第一宽度之上，该第二宽度大于该第一宽度，一第三宽度在该第二宽度之上，该第三宽度小于该第二宽度。