| 摘要 |
Zur Reduzierung der Wellenfrontaberration wird ein reflektives optisches Element für die EUV-Lithographie vorgeschlagen, aufweisend ein Viellagensystem für eine Arbeitswellenlänge im extrem ultravioletten Wellenlängenbereich, an dem eine einfallende elektromagnetische Welle der Arbeitswellenlänge reflektiert werden kann, wobei die reflektierte Wellen eine Phase &phgr; aufweist, sowie eine Deckschicht einer Dicke d, wobei die Phase &phgr; in Abhängigkeit von der Dicke d derart variiert, dass die Phase &phgr; zunächst im Wesentlichen konstant bleibt, bis eine Dicke d1 erreicht ist, zwischen der Dicke d1 und einer weiteren Dicke d2 mit d1 < d2 im abfällt und bei einer Dicke größer d2 weiter im Wesentlichen konstant bleibt, bei dem die Dicke d derart gewählt ist, dass d1 < d < d2 ist. Alternativ kann die Phasenvariation relativ zur Deckschichtdickenvariation größer 100% sein. |
