| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von metallisierten Metall-Keramik-Substraten als Schaltungsträger, insbesondere für Leistungshalbleiter-Bauelemente oder Leistungshalbleiter-Module. Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass eine Aluminium-Magnesium-Schicht 2 oder Aluminium-Silizium-Schicht 2 auf eine Kupferplatte oder -folie 1 aufgebracht wird, wobei die beschichtete Kupferplatte oder -folie mit einer Prozesstemperatur stoffschlüssig mit einem Keramiksubstrat 3 verbunden wird, die deutlich unterhalb der Prozesstemperatur des bekannten DCB(Direct-Copper-Bonding)-Verfahrens liegt. Auf Grund der relativ geringen Prozesstemperatur sind die mechanischen Spannungen infolge der unterschiedlichen Temperaturkoeffizienten der miteinander verbundenen Materialien 1, 2, 3 geringer als bei dem Verbund von einem Keramik-Substrat und einer oxidierten Kupferplatte oder -folie nach dem DCB-Verfahren. Andererseits verfügt das nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Metall-Keramik-Substrat über verbesserte elektrische Eigenschaften gegenüber dem bekannten Verbund von Keramik-Substrat und Aluminiumplatte oder -folie, die mit einer Aluminium-Silizium-Schicht beschichtet ist. |
