| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur elektrischen Kontaktierung eines Halbleiters (1) als erstem Fügepartner mit einem Kontaktelement (7) als zweitem Fügepartner gekennzeichnet durch die Schritte A) Aufbringen eines Sinterwerkstoffs zur Ausbildung einer schweißbaren Sinterschicht (2) auf eine Oberseite des Halbleiters (1), B) im Wesentlichen druckfreies Sintern unter Ausbildung einer schweißbaren Sinterschicht (2) auf der Oberseite des Halbleiters (1), C) Bestücken der ausgebildeten Sinterschicht (2) mit dem Kontaktelement (7), D) im Wesentlichen druckfreie Ausbildung eines Stoffschlusses und der elektrischen Kontaktierung zwischen der Oberseite des Halbleiters (1) und dem Kontaktelement (7). Die Erfindung betrifft weiterhin ein Halbleiterbauelement (10), insbesondere hergestellt nach dem erfindungsgemäßen Verfahren. |
