一种ROM半导体器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种ROM半导体器件及其制备方法，所述方法包括：半导体衬底，包括有源区和浅沟槽隔离区；至少两个栅极结构，其中一个所述栅极结构位于所述有源区上，其具有正常值的阈值电压，另外一个所述栅极结构位于所述浅沟槽隔离区上，其具有高于正常值的阈值电压；根据阈值电压的不同在所述器件中形成不同的储存区域，来定义只读存储器代码。本发明中通过在所述多个栅极结构下设置不同厚度的栅极介电层或者浅沟槽隔离，使其具有不同的阈值电压（Threshold voltage，VT），从而形成不同的储存区域和代码，实现不同代码的定义，所述方法中并没有增加额外的掩膜或者离子注入的步骤，工艺过程更加简单、容易控制。

主权项

一种ROM半导体器件，包括：半导体衬底，包括有源区和浅沟槽隔离区；至少两个栅极结构，其中一个所述栅极结构位于所述有源区上，其具有正常值的阈值电压，另外一个所述栅极结构位于所述浅沟槽隔离区上，其具有高于正常值的阈值电压；根据阈值电压的不同在所述器件中形成不同的储存区域，来定义只读存储器代码。