发明名称 |
一种背入射浸没式热敏薄膜型红外探测器 |
摘要 |
本发明公开了一种背入射浸没式热敏薄膜型红外探测器,所述的红外探测器衬底背面上集成一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜,探测器的敏感元和起补偿作用的补偿元分别位于锗透镜聚光中心焦点位置和边缘区域。该专利的优点在于:能有效消除热敏器件中因衬底效应而引起的等效热容、信号串扰对器件响应率的影响;利用锗透镜的聚光作用,从薄膜衬底背面入射到敏感元上的方式实现浸没式探测,大幅提高了热敏薄膜型红外探测器的响应率和探测率。本发明的公开,对于发展高性能、非制冷热敏薄膜型红外探测器件有一定的指导作用,并可用于单元浸没式红外探测器件的批量生产。 |
申请公布号 |
CN103855238A |
申请公布日期 |
2014.06.11 |
申请号 |
CN201410020924.8 |
申请日期 |
2014.01.17 |
申请人 |
中国科学院上海技术物理研究所 |
发明人 |
欧阳程;黄志明;周炜;吴敬;高艳卿;龙芳;褚君浩 |
分类号 |
H01L31/09(2006.01)I;G01N21/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/09(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
郭英 |
主权项 |
一种背入射浸没式热敏薄膜型红外探测器,其特征在于:在所述的热敏薄膜型红外探测器的衬底背面上集成一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜(4);所述的锗单晶半球透镜(4)为折射率n=4、电阻率大于30Ωcm、表面镀制有抗反射层的锗半球晶体,在其底面镀有作为介质层与红外探测器进行粘接的硒砷化合物薄膜。 |
地址 |
200083 上海市虹口区玉田路500号 |