| 发明名称 | FinFET及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种FinFET及其制造方法。该制造FinFET的方法包括：在半导体衬底上形成第一半导体层；在第一半导体层上形成第二半导体层；在第二半导体层上形成顶部保护层；图案化第二半导体层以形成半导体鳍片；在半导体鳍片的侧面形成侧壁保护层；对第一半导体层掺杂以形成掺杂穿通阻止层；去除顶部保护层和侧壁保护层；形成横跨半导体鳍片的栅堆叠，该栅堆叠包括栅极电介质和栅极导体，并且栅极电介质将栅极导体和半导体鳍片隔开；形成围绕栅极导体的栅极侧墙；以及在半导体鳍片位于栅堆叠两侧的部分中形成源区和漏区。掺杂穿通阻止层将半导体鳍片和半导体衬底隔开，从而可以容易地控制半导体鳍片的高度并且断开源区和漏区之间经由半导体衬底的漏电流路径。 | ||
| 申请公布号 | CN103855010A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201210506140.7 | 申请日期 | 2012.11.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蔡纯 |
| 主权项 | 一种制造FinFET的方法，包括： 在半导体衬底上形成第一半导体层； 在第一半导体层上形成第二半导体层； 在第二半导体层上形成顶部保护层； 图案化第二半导体层以形成半导体鳍片； 在半导体鳍片的侧面形成侧壁保护层； 对第一半导体层掺杂以形成掺杂穿通阻止层； 去除顶部保护层和侧壁保护层； 形成横跨半导体鳍片的栅堆叠，该栅堆叠包括栅极电介质和栅极导体，并且栅极电介质将栅极导体和半导体鳍片隔开； 形成围绕栅极导体的栅极侧墙；以及 在半导体鳍片位于栅堆叠两侧的部分中形成源区和漏区。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||