主权项 |
1.一种检测光学镀膜机镀膜膜厚均匀性的方法,其特征在于,在光学镀膜机上沉积由M1材料膜层和M2材料膜层构成的双腔滤光片,通过测量该双腔滤光片中心波长和尖峰极值透过率,计算出光学镀膜机上沉积的M1材料膜层和M2材料膜层的厚度均匀性,其具体步骤如下:第一步:设计一双腔滤光片膜系,该双腔滤光片膜系是指:在S基片上依次沉积(HL)<sup>a</sup>、(HH)<sup>d</sup>、(LH)<sup>b</sup>、(LL)<sup>e</sup>和(HL)<sup>c</sup>的(HL)<sup>a</sup>(HH)<sup>d</sup>(LH)<sup>b</sup>(LL)<sup>e</sup>(HL)<sup>c</sup>/Air的膜系,所述(HL)<sup>c</sup>与Air临界;其中,H和L分别代表光学厚度为λ<sub>0</sub>/4的M1材料膜层和M2材料膜层,λ<sub>0</sub>为参考波长,且M1材料膜层的折射率大于M2材料膜层的折射率;a、b、c、d和e均为整数,代表膜层的重复次数;(HL)<sup>a</sup>为依次沉积H膜层和L膜层并重复a次;(HH)<sup>d</sup>为依次沉积H膜层和H膜层并重复d次;(LH)<sup>b</sup>为依次沉积L膜层和H膜层并重复b次;(LL)<sup>e</sup>为依次沉积L膜层和L膜层并重复e次;(HL)<sup>c</sup>为依次沉积H膜层和L膜层并重复c次;第二步:从光学镀膜机工件盘中心到边缘摆放数量大于2片的S基片,在S基片上沉积第一步所述双腔滤光片膜系;第三步:测量每一片双腔滤光片的中心波长和尖峰极值透过率,将相应数据填入均匀性计算数据备用表;表中涉及:M1材料膜层光学厚度(OT)<sub>H</sub>;M2材料膜层光学厚度(OT)<sub>L</sub>;双腔滤光片左尖峰极值点透过率T<sub>left</sub>;双腔滤光片右尖峰极值点透过率T<sub>right</sub>;双腔滤光片中心波长λc;S基片的数量j;j≥2;第四步:将第三步均匀性计算数据备用表中的测量数据代入下面的公式,计算出每一片的M1材料膜层光学厚度(OT)<sub>H</sub>与M2材料膜层光学厚度(OT)<sub>L</sub>;所述公式为:<maths num="0001"><![CDATA[<math><mrow><mfenced open='{' close=''><mtable><mtr><mtd><msubsup><mrow><mo>(</mo><mi>OT</mi><mo>)</mo></mrow><mi>H</mi><mi>i</mi></msubsup><mo>=</mo><msub><mi>k</mi><mn>2</mn></msub><msubsup><mi>λ</mi><mi>c</mi><mi>i</mi></msubsup><mo>+</mo><msub><mi>C</mi><mn>2</mn></msub><mo>-</mo><mfrac><mrow><msub><mi>k</mi><mn>2</mn></msub><msubsup><mi>λ</mi><mi>c</mi><mi>i</mi></msubsup><msubsup><mi>T</mi><mi>right</mi><mi>i</mi></msubsup><mo>+</mo><msub><mi>C</mi><mn>2</mn></msub><msubsup><mi>T</mi><mi>right</mi><mi>i</mi></msubsup></mrow><mrow><msub><mi>k</mi><mn>1</mn></msub><msubsup><mi>T</mi><mi>left</mi><mi>i</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>T</mi><mi>left</mi><mi>i</mi></msubsup><mo>+</mo><msub><mi>C</mi><mn>1</mn></msub><msubsup><mi>T</mi><mi>right</mi><mi>i</mi></msubsup></mrow></mfrac></mtd></mtr><mtr><mtd><msubsup><mrow><mo>(</mo><mi>OT</mi><mo>)</mo></mrow><mi>L</mi><mi>i</mi></msubsup><mo>=</mo><mfrac><mrow><msub><mi>k</mi><mn>2</mn></msub><msubsup><mi>λ</mi><mi>c</mi><mi>i</mi></msubsup><msubsup><mi>T</mi><mi>right</mi><mi>i</mi></msubsup><mo>+</mo><msub><mi>C</mi><mn>2</mn></msub><msubsup><mi>T</mi><mi>right</mi><mi>i</mi></msubsup></mrow><mrow><msub><mi>k</mi><mn>1</mn></msub><msubsup><mi>T</mi><mi>left</mi><mi>i</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>T</mi><mi>left</mi><mi>i</mi></msubsup><mo>+</mo><msub><mi>C</mi><mn>1</mn></msub><msubsup><mi>T</mi><mi>right</mi><mi>i</mi></msubsup></mrow></mfrac></mtd></mtr></mtable></mfenced><mo>;</mo></mrow></math>]]></maths>其中,1≤i≤j,i代表第i个S基片或该基片所处位置,k<sub>1</sub>,k<sub>2</sub>,C<sub>1</sub>和C<sub>2</sub>为拟合计算出的常数;第五步:以S基片在工件盘上的位置为横坐标,对应的膜层厚度为纵坐标,绘制散点图,最终得到膜层厚度随位置的分布,即膜层厚度均匀性。 |