| 发明名称 | 半导体元器件制造过程中的显影方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体元器件制造过程中的显影方法，该方法包括：喷洒装置从起始位置开始，水平扫过晶圆表面，并通过所述喷洒装置上的喷嘴将显影液均匀地喷洒在晶圆表面上；进行第一次混拌显影；所述喷洒装置通过喷嘴用清洗液对晶圆表面进行第一次清洗；喷洒装置返回起始位置，然后第二次水平扫过晶圆表面，通过喷嘴将显影液均匀地喷洒在晶圆表面上；进行第二次混拌显影；所述喷洒装置通过喷嘴用清洗液对晶圆表面进行第二次清洗，然后旋干。通过使用上述的方法，可防止晶圆表面上的残留物对喷嘴造成污染，从而有效地减少线性残留物缺陷，提高晶圆表面的清洁度。 | ||
| 申请公布号 | CN102376543B | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201010253803.X | 申请日期 | 2010.08.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 乔辉 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;G03F7/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种半导体元器件制造过程中的显影方法，其特征在于，该方法包括：喷洒装置从起始位置开始，水平扫过晶圆表面，并通过所述喷洒装置上的喷嘴将显影液均匀地喷洒在晶圆表面上；进行第一次混拌显影；所述喷洒装置通过喷嘴用清洗液对晶圆表面进行第一次清洗；喷洒装置返回起始位置，然后第二次水平扫过晶圆表面，通过喷嘴将显影液均匀地喷洒在晶圆表面上；进行第二次混拌显影；所述喷洒装置通过喷嘴用清洗液对晶圆表面进行第二次清洗，然后旋干；其中，当所述喷洒装置离开起始位置，且尚未开始将显影液喷洒到晶圆表面上时，所述喷洒装置从喷嘴中喷洒稀释的显影液，以清洗所述喷嘴上的残留物。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||