绝缘栅双极晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管，集电区由第一P+区和第二P-区组成，第一P+区的掺杂浓度大于第二P-区的掺杂浓度，第一P+区的结深小于第二P-区的结深，第二P-区和所述漂移区直接接触，第一P+区和集电极背面金属层相接触；第一P+区和背面金属层形成欧姆接触从而用于减小接触电阻、降低导通压降；第二P-区用于控制集电区的注入效率，第二P-区的掺杂浓度越低、集电区的注入效率越低、绝缘栅双极晶体管的开关速度越快。本发明还公开了一种绝缘栅双极晶体管的制造方法。本发明能提高器件的开关速度并同时降低器件的导通压降。

主权项

一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：漂移区，由N型掺杂的硅衬底组成；P阱，形成于所述漂移区的顶部；发射区，由形成于所述P阱顶部表面的N+区组成，所述P阱将所述发射区和所述漂移区隔开；栅极，覆盖部分所述P阱，被所述栅极覆盖的所述P阱表面用于形成沟道，所述沟道连接所述P阱两侧的所述漂移区和所述发射区；集电区，形成于所述硅衬底底部、且所述集电区的顶部和所述漂移区的底部接触；所述集电区由第一P+区和第二P‑区组成，所述第一P+区和所述第二P‑区都是从所述硅衬底背面注入的离子注入区；所述第一P+区的掺杂浓度大于所述第二P‑区的掺杂浓度，所述第一P+区的结深小于所述第二P‑区的结深，所述第二P‑区和所述漂移区直接接触，所述第一P+区和所述漂移区相隔一定距离；集电极，由形成于所述硅衬底背面的背面金属层组成，所述第一P+区和所述集电极相接触；所述第一P+区和所述背面金属层形成欧姆接触从而用于减小接触电阻、降低导通压降；所述第二P‑区用于控制所述集电区的注入效率，所述第二P‑区的掺杂浓度越低、所述集电区的注入效率越低、绝缘栅双极晶体管的开关速度越快。