发明名称 TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置
摘要 本发明实施例提供一种TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置,涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域,无需为遮光增加掩膜板构图工艺,且能够有效保证遮光。其方法为:在基板上形成横纵交叉的数据线和栅线,数据线和栅线围设形成像素单元,每个像素单元包括TFT开关;在基板上形成钝化层;在钝化层上沉积像素电极层;在像素电极层上涂覆光刻胶,并进行曝光、显影,形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域,光刻胶完全保留区域对应像素电极区域,光刻胶完全去除区域对应其他区域;刻蚀去除光刻胶完全去除区域的像素电极层;对基板进行处理,使光刻胶完全去除区域的钝化层表面变为黑色;剥离去除光刻胶完全保留区域的光刻胶。
申请公布号 CN102468243B 申请公布日期 2014.06.11
申请号 CN201010542471.7 申请日期 2010.11.11
申请人 北京京东方光电科技有限公司 发明人 谢振宇;陈旭;龙春平
分类号 H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I 主分类号 H01L21/84(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种TFT阵列基板制造方法,在基板上形成横纵交叉的数据线和栅线,所述数据线和栅线围设形成像素单元,每个像素单元包括TFT开关;其中,所述TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层,其特征在于,在形成有上述结构的所述基板上形成钝化层;在所述形成有钝化层的基板上沉积像素电极层;在所述像素电极层上涂覆光刻胶,并进行曝光、显影,形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域,所述光刻胶完全保留区域对应像素电极区域,所述光刻胶完全去除区域对应像素电极层除像素电极区域之外的其他区域;刻蚀去除光刻胶完全去除区域的像素电极层;对基板进行处理,使光刻胶完全去除区域的钝化层表面变为黑色;剥离去除光刻胶完全保留区域的光刻胶,在基板上形成像素电极。
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