发明名称 |
自旋转移矩切换设备中由应变引起的切换电流的减小 |
摘要 |
使用引起MTJ(202)上的定向静态应变/应力以增加垂直磁各向异性的工艺和结构配置来构造部分垂直磁各向异性(PPMA)类型的磁性随机存取存储器单元。因此,得到MTJ的减小的切换电流。在制造期间沿受控方向(236,234)和/或用受控幅值来引起MTJ上的定向静态应变/应力。MTJ持久地遭受预定的定向应力(228)并且持久地包括提供减小的切换电流的定向静态应变/应力。 |
申请公布号 |
CN103858246A |
申请公布日期 |
2014.06.11 |
申请号 |
CN201280050191.1 |
申请日期 |
2012.09.12 |
申请人 |
高通股份有限公司 |
发明人 |
X·朱;X·李;W-C·陈;S·H·康 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
唐杰敏 |
主权项 |
一种磁性隧道结(MTJ)器件,包括:MTJ,其包括固定层、自由层、和所述固定层与所述自由层之间的阻挡层;以及毗邻所述MTJ的应力‑应变膜,所述应力‑应变膜被图案化以在所述MTJ中引起定向静态应变和/或应力。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |