半导体器件和制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括在具有第一主表面的半导体衬底中形成的晶体管。该晶体管包括源极区域、漏极区域、沟道区域、漂移区和邻近于沟道区域的栅电极。栅电极被配置为控制在沟道区域中形成的沟道的传导性，沟道区域和漂移区在源极区域和漏极区域之间被沿着第一方向置放，第一方向平行于第一主表面。沟道区域具有沿着第一方向延伸的第一突脊的形状，并且晶体管包括邻近于漂移区布置的第一场板。

主权项

一种包括在具有第一主表面的半导体衬底中形成的晶体管的半导体器件，所述晶体管包括：源极区域；漏极区域；沟道区域；漂移区；邻近于所述沟道区域的栅电极，所述栅电极被配置为控制在所述沟道区域中形成的沟道的传导性，所述沟道区域和所述漂移区在所述源极区域和所述漏极区域之间被沿着第一方向置放，所述第一方向平行于所述第一主表面，所述沟道区域具有沿着所述第一方向延伸的第一突脊的形状；和邻近于所述漂移区布置的第一场板。