一种制备栅介质层的设备

摘要

本发明的提供了一种制备栅介质层的设备，其包括：热处理工艺腔，用于生长SiO₂栅介质层；等离子体氮化工艺腔，用于向栅介质层中进行等离子体氮注入从而形成Si-N键；高温氮化处理腔，用于修复栅介质层中的晶格损伤和稳定Si-N键；低温氧化处理腔，用于修复栅介质层/沟道界面；控制单元，用于控制半导体衬底在各个工艺腔之间的转换以及各个工艺腔的启闭；输运装置，用于在各个工艺腔之间输送半导体衬底。采用本发明的设备进行栅介质层制备工艺，不仅使Si-N键趋于稳定，避免N原子的挥发，稳定了SiON栅介质中的N浓度，提高了SiON栅介质的介电常数；还避免了界面缺陷造成的载流子迁移率的下降，提高了界面质量和器件的性能。

主权项

一种制备栅介质层的设备，其特征在于，包括：热处理工艺腔，用于生长SiO₂栅介质层；等离子体氮化工艺腔，用于向所述栅介质层中进行等离子体氮注入从而形成Si‑N键；高温氮化处理腔，用于修复所述栅介质层中的晶格损伤和稳定所述Si‑N键；低温氧化处理腔，用于修复栅介质层/沟道界面；控制单元，用于控制所述半导体衬底在各个所述工艺腔之间的转换以及各个所述工艺腔的启闭；输运装置，用于在各个所述工艺腔之间输送所述半导体衬底。