| 发明名称 | 使用红外光源解决外延工艺光刻露光对准的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种使用红外光源解决外延工艺光刻露光对准的方法，包括：1）被对准层的对准记号进行干法或湿法刻蚀，形成刻蚀孔；2）在刻蚀孔内进行填充物成长，形成填充层；3）将填充层回刻至被对准层表面，形成被对准层的对准记号；4）在被对准层的对准记号上方，进行外延成长；5）外延成长后的下方被对准层露光时，通过光刻对准的光源使用红外线的方式，读取外延成长前的被对准层的对准记号。本发明不受EPI工艺干扰，在OVL效果上更稳定，能够有效减少OVL波动。另外，EPI成长速率可在产品允许下大幅提升，也可支援更厚的EPI后露光，对生产成本及效率能够大幅提升。 | ||
| 申请公布号 | CN103854969A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201210513692.0 | 申请日期 | 2012.12.04 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 陈志刚;刘金磊 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 高月红 |
| 主权项 | 一种使用红外光源解决外延工艺光刻露光对准的方法，其特征在于，包括步骤：1）被对准层的对准记号进行干法或湿法刻蚀，形成刻蚀孔；2）在刻蚀孔内进行填充物成长，形成填充层；3）将填充层回刻至被对准层表面，形成被对准层的对准记号；4）在被对准层的对准记号上方，进行外延成长；5）外延成长后的下方被对准层露光时，通过光刻对准的光源使用红外线的方式，读取外延成长前的被对准层的对准记号。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||