| 发明名称 | P型MOSFET的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种P型MOSFET的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上形成MOSFET的一部分，包括位于半导体衬底中的源/漏区、在半导体衬底上方位于源/漏区之间的假栅叠层、以及围绕假栅叠层的栅极侧墙；去除MOSFET的假栅叠层以形成栅极开口，以暴露半导体衬底的表面；在半导体的暴露表面上形成界面氧化物层；在栅极开口内的界面氧化物层上形成高K栅介质；在高K栅介质上形成第一金属栅层；在第一金属栅层中注入掺杂离子；以及进行退火以使掺杂离子扩散并聚积在高K栅介质与第一金属栅层之间的上界面和高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处，并且在高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处通过界面反应产生电偶极子。 | ||
| 申请公布号 | CN103854983A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201210506496.0 | 申请日期 | 2012.11.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 徐秋霞;朱慧珑;周华杰;许高博;梁擎擎 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蔡纯 |
| 主权项 | 一种P型MOSFET的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成MOSFET的一部分，所述MOSFET的所述部分包括位于半导体衬底中的源/漏区、在半导体衬底上方位于源/漏区之间的假栅叠层、以及围绕假栅叠层的栅极侧墙；去除所述MOSFET的假栅叠层以形成栅极开口，该栅极开口暴露半导体衬底的表面；在半导体的暴露表面上形成界面氧化物层；在栅极开口内的界面氧化物层上形成高K栅介质；在高K栅介质上形成第一金属栅层；在第一金属栅层中注入掺杂离子；在第一金属栅层上形成第二金属栅层以填充栅极开口；以及进行退火以使掺杂离子扩散并聚积在高K栅介质与第一金属栅层之间的上界面和高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处，并且在高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处通过界面反应产生电偶极子。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||