二比特SONOS闪存存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种二比特SONOS闪存存储器的结构，该存储器的存储单元由两个完全对称的存储管和位于该两个存储管中间的一个选择管构成；所述存储管从下至上由ONO层和第一多晶硅栅构成；所述第一多晶硅栅上方从下至上依次设有氧化层、氮化硅层；所述选择管从下至上由中压氧化层和第二多晶硅栅构成，该选择管的栅氧为中压氧化层，该选择管上方有氮化硅；所述第一多晶硅栅和所述第二多晶硅栅的侧壁上有氮化硅侧墙；所述存储管和所述选择管之间隔了一层氧化层。此外，本发明还公开了该二比特SONOS闪存存储器的制造方法。本发明能够有效的缩小存储单元的面积。

主权项

一种二比特SONOS闪存存储器的结构，其特征在于，该存储器的存储单元由两个完全对称的存储管和位于该两个存储管中间的一个选择管构成；所述存储管从下至上由ONO层和第一多晶硅栅构成；所述第一多晶硅栅上方从下至上依次设有氧化层、氮化硅层；所述选择管从下至上由中压氧化层和第二多晶硅栅构成，该选择管的栅氧为中压氧化层，该选择管上方有氮化硅；所述第一多晶硅栅和所述第二多晶硅栅的侧壁上有氮化硅侧墙；所述存储管和所述选择管之间隔了一层氧化层。