| 发明名称 | 用于光纤对准基座的硅穿孔制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于光纤对准基座的硅穿孔制作方法，步骤包括：1）在硅基板背面淀积二氧化硅刻蚀停止层；2）在硅基板正面淀积二氧化硅硬掩膜；3）通过光刻和二氧化硅硬掩膜干法刻蚀定义硅穿孔的图形；4）通过高选择比各向异性干法刻蚀工艺形成倒漏斗型硅穿孔；5）去除以上各刻蚀步骤中形成的聚合物；6）湿法刻蚀去除二氧化硅膜。本发明通过高选择比的干法刻蚀工艺刻穿硅基板，在硅基板背面形成喇叭口圆孔作为光纤对准基座阵列，不仅有效减少了工艺流程，节约了成本，而且提高了良率。 | ||
| 申请公布号 | CN103852821A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201210510461.4 | 申请日期 | 2012.12.03 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 吴智勇;刘鹏;袁苑 |
| 分类号 | G02B6/13(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/13(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 用于光纤对准基座的硅穿孔制作方法，其特征在于，步骤包括：1）在硅基板背面淀积一层二氧化硅刻蚀停止层；2）在硅基板正面淀积一层二氧化硅硬掩膜；3）通过光刻和二氧化硅硬掩膜干法刻蚀定义硅穿孔的图形；4）通过高选择比各向异性干法刻蚀工艺形成倒漏斗型硅穿孔；5）去除以上各刻蚀步骤中形成的聚合物；6）湿法刻蚀去除二氧化硅膜。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||