半导体元件、其制造方法及其操作方法

摘要

本发明公开了一种半导体元件、其制造方法及其操作方法。半导体元件包括一衬底、一第一阱(well)、一第二阱、一第一重掺杂区(heavily dopingregion)、一第二重掺杂区、一第三重掺杂区以及一电极层。第一阱和第二阱设置于衬底上。第一重掺杂区和第三重掺杂区设置于第一阱内，第二重掺杂区设置于第二阱内，第三重掺杂区是与第一重掺杂区间隔开来。电极层设置于第一阱上。第二阱、第一重掺杂区及第二重掺杂区具有一第一掺杂型态，衬底、第一阱及该三重掺杂区具有一第二掺杂型态，第一掺杂型态互补于第二掺杂型态。

主权项

一种半导体元件，包括：一衬底；一第一阱(well)，设置于该衬底上；一第二阱，设置于该衬底上；一第一重掺杂区(heavily doping region)，设置于该第一阱内；一第二重掺杂区，设置于该第二阱内；一第三重掺杂区，设置于该第一阱内，该第三重掺杂区是与该第一重掺杂区间隔开来；以及一电极层，设置于该第一阱上；其中该第二阱、该第一重掺杂区及该第二重掺杂区具有一第一掺杂型态，该衬底、该第一阱及该第三重掺杂区具有一第二掺杂型态，该第一掺杂型态互补于该第二掺杂型态。