| 发明名称 | 一种可实现多位存储的RRAM存储单元结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种可实现多位存储的RRAM存储单元结构，包括衬底、位于衬底上的下电极、位于下电极上的阻变层，以及位于阻变层上的上电极；该阻变层具有多个不同厚度的梯度层面，这些梯度层面的材料相同。本实用新型可以实现单一存储单元的多值存储，从而提高存储器的存储密度，降低成本；另外，由于仅仅是对阻变层的厚度作了改进，没有采用新的材料，和传统的阻变存储器加工工艺兼容，工艺简单。 | ||
| 申请公布号 | CN203644823U | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201320884857.5 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 范春晖;左青云 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种可实现多位存储的RRAM存储单元结构，包括：衬底、位于所述衬底上的下电极，位于所述下电极上的阻变层，以及位于所述阻变层上的上电极；其特征在于，所述阻变层具有多个不同厚度的梯度层面，且所述梯度层面的材料相同。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区上海浦东张江高斯路497号 | ||