| 发明名称 | 多级电阻转换存储单元及存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多级电阻转换存储单元及存储器。其中，所述多级电阻转换存储单元至少包括：形成于衬底上的层叠结构，该层叠结构由半导体材料层和相变材料层交替层叠而成，总层数为2N层，N为大于等于5的整数，其中，相变材料层的材料为电阻率能随温度变化的材料，优选为锑碲合金。该多级电阻转换存储单元可应用于电编程的电阻转换存储器等领域，由于其电阻值具有随温度变化而出现多级电阻值的特性，从而可以应用到多级电阻转换存储器中，采用电信号或者激光改变器件的电阻，实现数据的多级存储功能。 | ||
| 申请公布号 | CN103855301A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201210517155.3 | 申请日期 | 2012.12.05 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 顾怡峰;宋志棠;席韡;宋三年;刘波;封松林 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种多级电阻转换存储单元，其特征在于，所述多级电阻转换存储单元至少包括：形成于衬底上的层叠结构，该层叠结构由半导体材料层和相变材料层交替层叠而成，总层数为2N层，N为大于等于5的整数，其中，相变材料层的材料为电阻率能随温度变化的材料。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||