| 发明名称 | IGBT及其元胞结构、以及IGBT的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种IGBT及其元胞结构，和IGBT形成方法，其中，所述元胞结构包括：第一漂移区和位于第一漂移区下表面的第二漂移区，第一漂移区与第二漂移区的掺杂类型和浓度均相同；至少一个位于第一漂移区和第二漂移区之间的掺杂区，掺杂区的掺杂类型与第二漂移区的掺杂类型相同，且掺杂区的掺杂浓度大于第二漂移区的掺杂浓度；位于第二漂移区背离掺杂区一侧的集电区，集电区的掺杂类型与所述第二漂移区的掺杂类型相反，使得本发明所提供的IGBT具有良好的导通损耗与开关损耗之间的折中关系，整体性能比较高。 | ||
| 申请公布号 | CN103855202A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201210520131.3 | 申请日期 | 2012.12.06 |
| 申请人 | 江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明人 | 朱阳军;谈景飞;张杰;胡爱斌;卢烁今 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种IGBT元胞结构，其特征在于，包括：第一漂移区和位于所述第一漂移区下表面的第二漂移区，所述第一漂移区与所述第二漂移区的掺杂类型和浓度均相同；至少一个位于所述第一漂移区和第二漂移区之间的掺杂区，所述掺杂区的掺杂类型与所述第二漂移区的掺杂类型相同，且所述掺杂区的掺杂浓度大于所述第二漂移区的掺杂浓度；位于所述第二漂移区背离所述掺杂区一侧的集电区，所述集电区的掺杂类型与所述第二漂移区的掺杂类型相反。 | ||
| 地址 | 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座 | ||