一种基于SCR的集成电路静电保护器件

摘要

本发明公开了一种基于SCR的集成电路静电保护器件，包含：P型衬底，在所述P型衬底上设有相邻的P阱和N阱；在所述N阱里面设有P+型扩散区和N+型扩散区，二者分别与金属层连接；在所述P阱里面设有P+型扩散区和N+型扩散区，二者分别与金属层连接；在所述N阱表面的金属层和P阱表面的金属层之间通过氧化层隔开；在所述P阱里面设有的N+型扩散区和在所述N阱里面设有的P+型扩散区二者中至少一个设有双扩散PN结；所述双扩散PN结的个数包含两个或两个以上，所述多个双扩散PN结串联。本发明提供的基于SCR的集成电路静电保护器件，使得ESD保护电路中SCR的触发电压和维持电压都得到了提高。

主权项

一种基于SCR的集成电路静电保护器件，包含：P型衬底（301），在所述P型衬底（301）上设有相邻的P阱（303）和N阱（304）；在所述N阱（304）里面设有P+型扩散区（312）和N+型扩散区（309），二者分别与金属层连接，所述金属层位于所述N阱（304）的表面；在所述P阱（303）里面设有P+型扩散区（308）和N+型扩散区（307），二者分别与金属层连接，所述金属层位于所述P阱（303）的表面；在所述N阱（304）表面的金属层和P阱（303）表面的金属层之间通过氧化层隔开；其特征在于，还包含：在所述P阱（303）里面设有的N+型扩散区（307）和在所述N阱（304）里面设有的P+型扩散区（312）二者中至少一个设有双扩散PN结；所述双扩散PN结的个数包含两个或两个以上，所述多个双扩散PN结串联。