发明名称 阵列基板的结构及制造方法
摘要 本发明公开一种阵列基板的结构及制造方法,涉及显示技术领域,以解决C<sub>S</sub>电容中像素电极与公共电极之间距离较大,在C<sub>S</sub>充好电的情况下也不能保持控制液晶转向的电压恒定,使得液晶面板出现由于液晶两端电压变化所导致的灰阶异常问题,所述阵列基板包括基板,以及在基板上形成的栅极扫描线、数据扫描线、像素电极和第一薄膜晶体管,该第一薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连、该第一薄膜晶体管的源极与数据扫描线相连、该第一薄膜晶体管的漏极与像素电极相连;还包括存储电容,所述存储电容的底电极与所述数据扫描线位于同一层面,所述存储电容的顶电极与所述像素电极位于同一层面。本发明实施例主要应用于显示领域,尤其适用于液晶显示面板。
申请公布号 CN102280443B 申请公布日期 2014.06.11
申请号 CN201010200177.8 申请日期 2010.06.08
申请人 北京京东方光电科技有限公司 发明人 张弥
分类号 H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I 主分类号 H01L27/02(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种阵列基板,包括基板,以及在基板上形成的栅极扫描线、数据扫描线、像素电极和第一薄膜晶体管,该第一薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连、该第一薄膜晶体管的源极与数据扫描线相连、该第一薄膜晶体管的漏极与像素电极相连;其特征在于,还包括:存储电容,所述存储电容的底电极为所述第一薄膜晶体管的漏极,且与所述数据扫描线位于同一层面,所述存储电容的顶电极与所述像素电极位于同一层面,所述顶电极接有恒压电源;所述阵列基板上还形成有第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管的栅极与所述栅极扫描线连接;所述第二薄膜晶体管的源极与所述栅极扫描线连接;所述顶电极接有恒压电源的具体连接方式为:所述顶电极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接。
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