利用磁畴壁移动的半导体器件

摘要

本发明提供一种使用磁畴壁移动的半导体器件。该半导体器件包括具有多个磁畴的磁线，其中该磁线包括通过脉冲场和脉冲电流之一被移动的磁畴壁。该半导体器件的磁线不需要额外的切口，因为该磁线包括磁畴壁，其移动距离通过脉冲场或脉冲电流来控制。

主权项

一种半导体器件，包括具有多个磁畴的磁线，其中该磁线包括通过脉冲磁场和脉冲电流之一被移动的磁畴壁且是无切口磁线，其中该脉冲磁场具有与周期性振荡该磁畴壁并移动该磁畴壁的连续场的强度同样强的强度，且其中该脉冲电流具有与周期性振荡该磁畴壁且移动该磁畴壁的连续电流的强度同样强的强度，其中磁畴壁的周期性振荡是其中每单位体积的磁矩值M减小的第一阶段、其中每单位体积的磁矩值M保持某一水平的第二阶段、以及其中每单位体积的磁矩值M增大的第三阶段的重复，该磁畴壁在第一阶段中沿该连续场的方向移动并在该第三阶段中沿该连续场的相反方向移动，并且该脉冲磁场或该脉冲电流的关断状态在磁畴壁停止移动的第二阶段中。