发明名称 一种制备大面积高质量非晶碳薄膜的方法
摘要 本发明涉及一种制备大面积高质量非晶碳薄膜的方法。本发明首先向反应系统通入具有还原性质的气体,在高温下将反应基底的金属表面氧化层完全去除。其次向反应系统通入碳源气体,其中碳源气体高温下裂解并分离出碳原子,碳原子高温时溶解在反应基底的金属表面层。然后快速冷却高温反应炉,使反应系统温度骤降,低温下碳原子在金属中的溶解性明显降低,碳原子迅速在金属表面析出形成非晶碳薄膜。最后将反应基底上的非晶碳薄膜在一定温度下进行表面退火处理,非晶碳薄膜的质量进一步提高。本发明利用金属在不同温度下对碳原子的溶解和析出作用,工艺简单,操作方便,适合大面积低成本制备。
申请公布号 CN102747337B 申请公布日期 2014.06.11
申请号 CN201210223312.X 申请日期 2012.06.27
申请人 浙江大学 发明人 董策舟;王宏涛;李倩倩;冯琼;刘德重;赵思远
分类号 C23C16/26(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I 主分类号 C23C16/26(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 杜军
主权项 一种制备大面积高质量非晶碳薄膜的方法,其特征在于该方法包括以下步骤: 步骤1:向反应系统通入具有还原性质的气体,在高温下将反应基底的金属表面氧化层完全去除;步骤2:向反应系统通入碳源气体,其中碳源气体高温下裂解并分离出碳原子,碳原子高温时溶解在反应基底的金属表面层;步骤3:快速冷却高温反应炉,使反应系统温度骤降至常温,低温下碳原子在金属中的溶解性明显降低,碳原子迅速在金属表面析出形成非晶碳薄膜;步骤4:将反应基底上的非晶碳薄膜在设定温度下进行表面退火处理,非晶碳薄膜的质量进一步提高;步骤1所述的还原性质的气体可以为氢气、氢气与氩气的混合气、氢气与氮气的混合气;步骤1所述的反应基底可以为镍箔、金箔或铂箔;步骤2所述的碳源气体可以为甲烷、乙炔或丙烯。
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