| 发明名称 | 碳化硅粉末及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供高纯度碳化硅粉末以及可以廉价、大量且安全地制造高纯度碳化硅粉末的方法。本发明涉及杂质含有率为500ppm以下的碳化硅粉末。该碳化硅粉末为硅酸质原料和碳质原料混合而成的碳化硅制造用原料，通过利用艾奇逊炉4的发热体2对碳质原料与硅酸质原料的混合摩尔比(C/SiO<sub>2</sub>)为2.5～4.0且杂质含有率为120ppm以下的碳化硅制造用原料1进行加热，可以得到该碳化硅粉末。 | ||
| 申请公布号 | CN103857622A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201280040204.7 | 申请日期 | 2012.08.23 |
| 申请人 | 太平洋水泥株式会社 | 发明人 | 增田贤太;一坪幸辉;河野恒平;铃木将和;熊坂惇;田中秀秋 |
| 分类号 | C01B31/36(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 庞东成;褚瑶杨 |
| 主权项 | 一种碳化硅粉末，其是使用艾奇逊炉对硅酸质原料和碳质原料混合而成的碳化硅制造用原料进行烧制而得到的，其特征在于，所述碳化硅粉末中的杂质含有率为500ppm以下。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||