| 发明名称 | 闩锁SCR的应力加强结工程 | ||
| 摘要 | 一种形成包括闩锁可控硅整流器（SCR）的IC装置的方法（200），该方法包括：在衬底（202）的顶表面上形成掩模，其中，掩模覆盖衬底的第一部分并且暴露衬底的位于衬底上的n阱和p阱的一者中的第二部分；蚀刻衬底的被暴露的第二部分，以形成蚀刻区域（203）；在蚀刻区域（204）中通过选择外延沉积形成闩锁SCR的应力工程结；以及移除掩模（205）。 | ||
| 申请公布号 | CN103858238A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201280050302.9 | 申请日期 | 2012.08.14 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | J·B·坎皮;R·J·高希尔;李军俊;R·米施拉 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 杜文树 |
| 主权项 | 一种形成包括闩锁可控硅整流器（SCR）的IC装置的方法，该方法包括：在衬底的顶表面上形成掩模，其中，掩模覆盖衬底的第一部分并且暴露衬底的位于衬底上的n阱和p阱的一者中的第二部分；蚀刻衬底的被暴露的第二部分，以形成蚀刻区域；在蚀刻区域中通过选择外延沉积形成闩锁SCR的应力工程结；以及移除掩模。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||