可变阻抗存储元件的接触结构与方法

摘要

存储元件可以包括：开口，其在至少一个绝缘层上，该绝缘层形成于蚀刻停止层上，该开口在其底部暴露第一电极部分和所述蚀刻停止层;第二电极部分，在所述开口的至少侧表面上形成，并接触第一电极部分，第二电极部分不填充所述开口，并且基本上不形成于至少一层绝缘层的顶部表面上;至少一个存储层，形成于至少一个绝缘层顶部表面并与第二电极部分接触，所述至少一个存储层可以在至少两个阻抗状态之间可逆地可编程。还公开了形成这样的存储元件的方法。

主权项

一种存储元件，包括： 开口，其形成在至少一个绝缘层内，绝缘层形成于蚀刻停止层上，所述开口在其底部暴露第一电极部分和所述蚀刻停止层; 第二电极部分，在所述开口的至少一个侧表面上形成，并且不在所述至少一个绝缘层的顶部表面的上方形成，第二电极部分接触第一电极部分;以及 至少一个存储层，形成于至少一个绝缘层的顶部表面上并与第二电极部分接触，所述至少一个存储层可以在至少两个阻抗状态之间可逆地可编程。