| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体器件的方法包括在衬底上方形成NMOS栅极结构。该方法进一步包括紧邻NMOS栅极结构在衬底中形成非晶区。该方法还包括在非晶区中形成轻掺杂的源极/漏极(LDD)区。该方法进一步包括在NMOS栅极结构上方沉积应力膜，实施退火工艺以及去除应力膜。本发明还提供了半导体器件及其形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103855028A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201310064436.2 | 申请日期 | 2013.02.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王参群;方子韦 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在衬底上方形成NMOS栅极结构；紧邻所述NMOS栅极结构在所述衬底中形成非晶区；在所述非晶区中形成轻掺杂源极/漏极(LDD)区；在所述NMOS栅极结构上方沉积应力膜；实施退火工艺；以及去除所述应力膜。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||