| 发明名称 | 包括在其外围周围的栅极驱动器的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的方法，在一个实施例中，半导体器件包括形成有多个横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)单元的半导体裸片，以及电耦合至所述多个LDMOS单元的金属层。半导体器件还包括多个栅极驱动器，沿着所述半导体裸片的外围定位并且通过所述金属层电耦合至所述多个LDMOS单元的栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN103855117A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201310613218.X | 申请日期 | 2013.11.27 |
| 申请人 | 英力股份有限公司 | 发明人 | A·W·洛特菲;J·德姆斯基;A·菲根森;D·D·洛帕塔;J·诺顿;J·D·威尔德 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 酆迅 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体裸片，形成有形成横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件的多个LDMOS单元；金属层，电耦合至所述多个LDMOS单元；以及多个栅极驱动器，沿着所述半导体裸片的外围定位并且通过所述金属层电耦合至所述多个LDMOS单元的栅极。 | ||
| 地址 | 美国新泽西州 | ||