| 发明名称 | 堆叠栅型SONOS闪存存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种堆叠栅型SONOS闪存存储器的结构，该存储器由一个选择管和一个存储管构成，所述存储管从下至上由ONO层和第一多晶硅栅构成；所述选择管从下至上由中压氧化层和第二多晶硅栅构成，该选择管的栅氧为中压氧化层，该选择管上方有氮化硅；所述第一多晶硅栅和所述第二多晶硅栅的侧壁上有氮化硅侧墙；所述存储管和所述选择管之间有一定的重叠，重叠量为X，0<X≤第一多晶硅栅的宽度。此外，本发明还公开了该堆叠栅型SONOS闪存存储器的制造方法。本发明能够有效的缩小存储单元的面积。 | ||
| 申请公布号 | CN103855162A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201210516638.1 | 申请日期 | 2012.12.05 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张可钢;陈广龙;陈华伦 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种堆叠栅型SONOS闪存存储器的结构，该存储器由一个选择管和一个存储管构成，其特征在于，所述存储管从下至上由ONO层和第一多晶硅栅构成；所述选择管从下至上由中压氧化层和第二多晶硅栅构成，该选择管的栅氧为中压氧化层，该选择管上方有氮化硅；所述第一多晶硅栅和所述第二多晶硅栅的侧壁上有氮化硅侧墙；所述存储管和所述选择管之间有一定的重叠，重叠量为X，0<X≤第一多晶硅栅的宽度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||