具有接触插栓的半导体结构与其形成方法

摘要

本发明公开一种具有接触插栓的半导体结构及其形成方法，其半导体结构包含一基底、一晶体管、一第一内层介电层、一第二内层介电层、一第一接触插栓、一第二接触插栓以及一第三接触插栓。晶体管设置在基底上，且包含一栅极以及一源极/漏极区。第一内层介电层设置在晶体管上。第一接触插栓设置在第一内层介电层中，且其顶面高于该栅极的一顶面。第二内层介电层设置于第一内层介电层上。第二接触插栓于第二内层介电层中以电连接该第一接触插栓。第三接触插栓设于第一内层介电层以及第二内层介电层中以电连接栅极。

主权项

一种形成具有接触插栓的半导体结构的方法，包含：提供一基底；形成一晶体管于该基底上，该晶体管包含一栅极以及一源极/漏极区；形成一第一内层介电层于该晶体管上；形成一第一接触插栓于该第一内层介电层中，该第一接触插栓电连接该源极/漏极区，且该第一接触插栓的顶面高于该栅极的一顶面；形成一第二内层介电层于该第一内层介电层上；以及形成一第二接触插栓于该第二内层介电层中以电连接该第一接触插栓，与形成一第三接触插栓于该第一内层介电层以及该第二内层介电层中以电连接该栅极。