受光元件、受光元件阵列、制造受光元件的方法以及制造受光元件阵列的方法

摘要

本发明提供一种受光元件，其在近红外区域中具有灵敏度且其中易于获得良好的晶体品质，可在高准确度下容易地形成受光元件的一维或二维阵列，并能够降低暗电流；受光元件阵列；及其制造方法。所述受光元件包含III-V族化合物半导体层叠结构，所述层叠结构包含内部具有pn结15的吸收层3，其中所述吸收层具有由III-V族化合物半导体构成的多量子阱结构，所述pn结15通过将杂质元素选择性扩散到所述吸收层中而形成，将由III-V族半导体构成的扩散浓度分布控制层设置成和所述吸收层的一侧相接触，所述吸收层的所述一侧和所述吸收层的与所述III-V族化合物半导体衬底相邻的一侧相反，所述扩散浓度分布控制层的带隙能量比所述III-V族化合物半导体衬底的带隙能量小，选择性扩散到所述扩散浓度分布控制层中的所述杂质元素的浓度随着朝向所述吸收层而降低至5×10¹⁶/cm³以下。

主权项

一种包含III‑V族化合物半导体层叠结构的受光元件，所述层叠结构包含内部具有pn结的吸收层，所述III‑V族化合物半导体层叠结构形成在III‑V族化合物半导体衬底上，其中所述吸收层具有由III‑V族化合物半导体构成的多量子阱结构，通过将杂质元素选择性扩散到所述吸收层中而形成所述pn结，将由III‑V族半导体构成的扩散浓度分布控制层设置成和所述吸收层的一侧相接触，所述吸收层的所述一侧和所述吸收层的与所述III‑V族化合物半导体衬底相邻的一侧相反，所述扩散浓度分布控制层的带隙能量比所述III‑V族化合物半导体衬底的带隙能量小，选择性扩散到所述扩散浓度分布控制层中的所述杂质元素的浓度随着朝向所述吸收层而降低，并降低至所述所述吸收层侧的5×10¹⁶/cm³以下。