半导体晶片的制造方法和半导体晶片

摘要

本发明提供一种半导体晶片的制造方法，包括：碳层形成工序、贯穿孔形成工序、馈源层形成工序和外延层形成工序。在碳层形成工序中，在由多晶SiC构成的基板（70）的表面形成碳层（71）。在贯穿孔形成工序中，在形成在基板（70）的碳层（71）形成贯穿孔（71c）。在馈源层形成工序中，在碳层（71）的表面形成Si层（72）和3C－SiC多晶层（73）。在外延层形成工序中，通过对基板（70）进行加热，在通过贯穿孔（71c）露出的基板（70）的表面形成由4H－SiC单晶构成的晶种，使晶种进行接近液相外延生长，形成4H－SiC单晶层。

主权项

一种半导体晶片的制造方法，其特征在于，包括：碳层形成工序，在至少表面由多晶SiC构成的基板的表面形成碳层；贯穿孔形成工序，在形成在所述基板的所述碳层形成贯穿孔；馈源层形成工序，在形成在所述基板的所述碳层的表面形成Si层，并且在该Si层的表面形成由多晶SiC构成的馈源层；和外延层形成工序，通过对所述基板进行1600℃以上2300℃以下的温度范围的加热处理，在通过所述贯穿孔露出的所述基板的表面形成由4H－SiC单晶构成的晶种，通过继续所述加热处理，使所述晶种进行接近液相外延生长，形成由4H－SiC单晶构成的外延层。