一种发光二极管的制造方法

摘要

本发明提供一种发光二极管的制造方法，先于半导体衬底表面依次制作N型层、量子阱层、P型层；然后刻蚀所述P型层及量子阱层以形成N电极制备区域；接着于所述P型层表面形成透明导电层，并采用光刻工艺刻蚀所述透明导电层、P型层及量子阱层，以形成多个贯穿至所述N型层的呈周期排列且具有预设孔径的开孔；最后于所述透明导电层表面制作P电极，于所述N电极制备区域制备N电极。本发明具有以下有益效果：本发明在发光二极管中刻蚀出多个周期排列的纳米级开孔，可以有效地提高光的萃取，从而提高发光效率。

主权项

一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面依次沉积至少包括N型层、量子阱层、P型层的发光外延结构；2）刻蚀所述P型层及量子阱层以形成N电极制备区域；3）于所述P型层表面形成透明导电层，并采用光刻工艺刻蚀所述透明导电层、P型层及量子阱层，以形成多个贯穿至所述N型层的呈周期排列且具有预设孔径的开孔；4）于所述透明导电层表面制作P电极，于所述N电极制备区域制备N电极。