| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：半导体结构，在其一个表面上形成有用于暴露焊盘的开口；第一导电层，形成在开口中以使半导体结构的一个表面更加均匀；以及导电图案，形成在半导体结构的部分的一个表面上，该一个表面包括第一导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN103855124A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201310597577.0 | 申请日期 | 2013.11.22 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 金钟薰;裴弼淳 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：半导体结构，在其一个表面上形成有用于暴露焊盘的开口；第一导电层，形成在该开口中；以及导电图案，形成在该半导体结构的部分的该一个表面上，该一个表面包括该第一导电层，其中该半导体结构的该一个表面和该第一导电层基本上共面。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||