半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，包括：第1导电型半导体层；第2导电型的多个主体区域，在从上述半导体层的表面至厚度方向的中间部的区域，在与上述厚度方向垂直的方向空出间隔形成；第1导电型源极区域，在各主体区域的表层部，与上述主体区域的周缘空出间隔形成；栅极绝缘膜，形成在上述半导体层上；和栅极电极，形成在所述栅极绝缘膜上，在上述半导体层，通过从其表面向下挖掘以形成横跨在彼此相邻的2个上述源极区域之间的槽，由上述栅极绝缘膜覆盖上述槽的内面，上述栅极电极具有与上述半导体的表面对置的表面对置部以及在上述槽中埋设的埋设部。

主权项

一种半导体装置，其包括：第1导电型的半导体层；第2导电型的多个主体区域，在从所述半导体层的表面至厚度方向的中间部的区域，在与所述厚度方向垂直的方向空出间隔形成；第1导电型源极区域，在各主体区域的表层部，与所述主体区域的周缘空出间隔形成；栅极绝缘膜，在所述半导体层上形成；和栅极电极，在所述栅极绝缘膜上形成，在所述半导体层中，通过从其表面向下挖掘，形成横跨在彼此相邻的2个所述源极区域之间的槽，由所述栅极绝缘膜覆盖所述槽的内面，所述栅极电极具有与所述半导体层的表面对置的表面对置部以及埋设在所述槽中的埋设部。