| 发明名称 | 用于相变存储器的Al-Sb-Se材料及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于相变存储器的Al-Sb-Se材料及制备方法。其中，所述Al-Sb-Se材料是由铝、锑、硒三种元素组成的化合物，其化学式为Al<sub>x</sub>Sb<sub>a</sub>Se，Sb与Se的原子比为a：1，0.67≤a≤12.35，0.01≤x≤10；采用Sb<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>合金靶、Al单质靶、以及Sb单质靶共溅射形成。利用本发明的相Al-Sb-Se材料作为信息存储介质，可以有效地提高存储器的可靠性，降低擦写操作的功耗等。 | ||
| 申请公布号 | CN103855302A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201210518165.9 | 申请日期 | 2012.12.05 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 顾怡峰;宋志棠;宋三年;刘波;封松林 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种用于相变存储器的Al‑Sb‑Se材料，其特征在于：所述Al‑Sb‑Se材料是由铝、锑、硒三种元素组成的化合物，其化学式为Al<sub>x</sub>Sb<sub>a</sub>Se，其中，Sb与Se的原子比为a：1， 0.67≤a≤12.35，0.01≤x≤10。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||