半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种能够抑制裂缝的出现以及确保平坦性的高可靠性半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底；元件区；以及非元件区。非元件区包括：形成在非元件区中的金属布线的顶层中的顶层金属布线；覆盖顶层金属布线的上表面的平坦化膜；以及形成在平坦化膜上的保护膜。其中去除了保护膜的去除部形成在非元件区的至少一部分中。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有主面；元件区，在该元件区中，光检测器形成在所述半导体衬底中；以及非元件区，所述非元件区形成在所述主面之上的所述元件区的外部，所述非元件区包括：顶层金属布线，所述顶层金属布线在所述非元件区中形成的金属布线的顶层中；平坦化膜，所述平坦化膜覆盖所述顶层金属布线的上表面；以及保护膜，所述保护膜形成在所述平坦化膜之上，其中，形成有其中在所述非元件区的至少一部分中所述保护膜被去除了的去除部。