发明名称 |
一种监控回刻深度的结构和监控方法 |
摘要 |
一种回刻深度的监控结构和监控方法,该监控结构为制作在晶圆非元件区上的表面截面为梯形的沟槽。该监控方法为利用该梯形沟槽,得到沟槽内沉积物质在回刻工艺之后的分布拐点,根据该拐点位置,就可以判断出回刻深度是否合格。由于本发明的监控方法只需要简单的辅助设备即可得到,因此相比原有的监控手段,其成本大大降低,且操作简单,结果准确,适合进行流水线式的在线监控。另外本发明的监控结构只在整个DMOS器件制作工艺的中间过程中出现,不会对最终产品产生任何负面影响,因而具备很好的实用性。 |
申请公布号 |
CN103855046A |
申请公布日期 |
2014.06.11 |
申请号 |
CN201210501487.2 |
申请日期 |
2012.11.29 |
申请人 |
无锡华润上华半导体有限公司 |
发明人 |
卞铮 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
唐灵;常亮 |
主权项 |
一种回刻深度的监控结构,设置在晶圆衬底的非元件区,其特征在于:所述监控结构为表面截面为等腰梯形的沟槽,该沟槽在等腰梯形的上底边长度为1倍至2倍之间的沉积物厚度,下底边长度为大于2倍的沉积物厚度,所述沉积物厚度为所述晶圆衬底经过该沉积物的沉积工艺之后,覆盖在该晶圆衬底表面的沉积物的厚度。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 |