发明名称 |
一种多晶硅的制备装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种多晶硅的制备装置,它包含第一加热区,该第一加热区的一侧安装有Zn丝自动输入设备,其另一侧设有与之相连通的第二加热区,所述第二加热区的另一侧与第三加热区相连通,该第三加热区的另一侧与第四加热区相连通,所述的第二加热区和第三加热区的中部分别轴向设有加热腔,该内加热腔的内壁上设有加热层,所述第二加热区上安装有与其内部加热腔连通的SiCl4液体的输入管。本实用新型结构简单,操作方便,通过利用高纯度的SiCl4和Zn可以制备高纯度的多晶硅材料,且通过分区控制温度不仅可以更好的优化多晶硅的制备条件,还可以回收反应生成的废气供再利用,提高能源的利用率,大大降低多晶硅的制备成本。 |
申请公布号 |
CN203639163U |
申请公布日期 |
2014.06.11 |
申请号 |
CN201320779507.2 |
申请日期 |
2013.11.28 |
申请人 |
内蒙古工业大学 |
发明人 |
王俊;叶鑫鑫;李鹏飞;马文 |
分类号 |
C01B33/03(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/03(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种多晶硅的制备装置,其特征在于它包含第一加热区(2),该第一加热区(2)的一侧安装有Zn丝自动输入设备(1),其另一侧设有与之相连通的第二加热区(3),所述第二加热区(3)的另一侧与第三加热区(8)相连通,该第三加热区(8)的另一侧与第四加热区(9)相连通,所述的第二加热区(3)和第三加热区(8)的中部分别轴向设有加热腔,该内加热腔的内壁上设有加热层(6),所述第二加热区(3)上安装有与其内部加热腔连通的SiCl4液体的输入管(4),所述第四加热区(9)内设有石英管(14),该石英管(14)的中部与第三加热区(8)内的加热腔相连通,所述石英管(14)内设有废气排气管(11),该废气排气管(11)的一端穿过石英管(14)和第四加热区(9)与废气回收管(10)相连,所述石英管(14)的下端安装有与其相连通的多晶硅回收管(12),该多晶硅回收管(12)的另一端延伸出石英管(14)和第四加热区(9)。 |
地址 |
010051 内蒙古自治区呼和浩特市新城区爱民街49号 |