| 发明名称 | 超低密度有源区的浅沟槽隔离平坦化的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种超低密度有源区的浅沟槽隔离平坦化的方法，包括：1）在硅衬底上淀积一层作为缓冲层的第一氧化膜；2）在第一氧化膜上，进行浅沟槽的光刻工艺；3）刻蚀浅沟槽的图形；4）在硅衬底上，依次淀积线性氧化膜和高密度等离子体氧化膜；5）在高密度等离子体氧化膜上，淀积一层作为停止层的氮化膜；6）化学机械研磨进行平坦化，停在氮化膜上；7）去除氮化膜；8）去除硅衬底上方的高密度等离子体氧化膜和第一氧化膜。本发明可以避免由于有源区面积过小，导致在后续化学机械研磨步骤中由于研磨速率过快而导致有源区的过磨损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN103855070A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201210499649.3 | 申请日期 | 2012.11.29 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 钱志刚;程晓华 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 高月红 |
| 主权项 | 一种超低密度有源区的浅沟槽隔离平坦化的方法，其特征在于，包括步骤：1）在硅衬底上淀积一层作为缓冲层的第一氧化膜；2）在第一氧化膜上，进行浅沟槽的光刻工艺；3）刻蚀浅沟槽的图形；4）在硅衬底上，依次淀积线性氧化膜和高密度等离子体氧化膜；5）在高密度等离子体氧化膜上，淀积一层作为停止层的氮化膜；6）化学机械研磨进行平坦化，停在氮化膜上；7）刻蚀，去除氮化膜；8）用湿法刻蚀的方法，去除硅衬底上方的高密度等离子体氧化膜和第一氧化膜。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||