| 发明名称 | 透光性导电性膜、其制造方法及其用途 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种透光性导电性膜，其含有：(A)透光性支持层、(B)光学调整层及(C)含有氧化铟锡的透光性导电层，所述光学调整层(B)直接或经由一层以上的其它层配置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，且所述透光性导电层(C)至少经由光学调整层(B)配置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其特征在于，所述光学调整层(B)含有氧化锆，且厚度为0.4～3μm，且在采用薄膜法的XRD测定中，源自氧化锆的2θ＝28°附近的峰值相对于源自氧化铟锡的(222)面的峰值之比为0.1～1.0。 | ||
| 申请公布号 | CN103858182A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201380003369.1 | 申请日期 | 2013.03.22 |
| 申请人 | 积水纳米涂层科技有限公司;积水化学工业株式会社 | 发明人 | 滝泽守雄;白木真司;泽田石哲郎;田中治;林秀树;中谷康弘 |
| 分类号 | H01B5/14(2006.01)I;B32B9/00(2006.01)I;G06F3/041(2006.01)I | 主分类号 | H01B5/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张涛 |
| 主权项 | 一种透光性导电性膜，其包含：(A)透光性支持层；(B)光学调整层；及(C)含有氧化铟锡的透光性导电层，所述光学调整层(B)直接或隔着一层以上的其它层配置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，并且，所述透光性导电层(C)至少隔着光学调整层(B)配置于所述透光性支持层(A)的至少一面上，其中，所述光学调整层(B)含有氧化锆，且厚度为0.4～3μｍ，并且，在采用薄膜法进行的XRD测定中，源自氧化锆的2θ＝28°附近的峰值与源自氧化铟锡的(222)面的峰值之比为0.1～1.0。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||