| 发明名称 | 二维半导体模板材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种二维半导体模板材料，它的化学式为M<sub>n+1</sub>X<sub>n</sub>(OH)<sub>n</sub>，其中M为Sc、Ti或Zr，X为B、C或N，n为1或2；它的原材料为M<sub>n+1</sub>AX<sub>n</sub>，其中A为Li、Na、Al、Si或K，将原材料烧结后进行球磨处理，获得粒度等于或者小于5μm的原材料粉末，在40-60wt.%HF溶液中恒温浸泡8-10小时，并使用电磁搅拌，同时用超声波对浸泡溶液进行超声处理60-80min，最后分别用5wt.%NaOH和去离子水清洗，直至原材料的PH值等于7，离心干燥后得到M<sub>n+1</sub>X<sub>n</sub>(OH)<sub>n</sub>二维半导体模板材料。本发明工艺和设备简单，重复性好，所得二维半导体模板材料剥离分层效果好，具有高的比表面积和可调的能带结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103848455A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201410066719.5 | 申请日期 | 2014.02.26 |
| 申请人 | 燕山大学 | 发明人 | 彭秋明;张庆瑞;付辉 |
| 分类号 | C01G1/00(2006.01)I | 主分类号 | C01G1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄一诚知识产权事务所 13116 | 代理人 | 续京沙 |
| 主权项 | 一种二维半导体模板材料，其特征在于：它的化学分子式为M<sub>n+1</sub>X<sub>n</sub>(OH)<sub>n</sub>，其中M为Sc、Ti或Zr，X为B、C或N，n为1或2。 | ||
| 地址 | 066004 河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号 | ||