SRAM单元中的接触塞及其形成方法

摘要

一种方法包括在SRAM单元的一部分上方形成介电层。该SRAM单元包括第一上拉晶体管和第二上拉晶体管、与第一上拉晶体管和第二上拉晶体管形成交叉锁存的反相器的第一下拉晶体管和第二下拉晶体管、以及分别连接至第一上拉晶体管和第一下拉晶体管的漏极和第二上拉晶体管和第二下拉晶体管的漏极的第一传输门晶体管和第二传输门晶体管。在介电层上方形成第一掩模层并对其进行图案化。在介电层上形成第二掩模层并对其进行图案化。将第一掩模层和第二掩模层结合起来用作蚀刻掩模来蚀刻介电层，其中，在介电层中形成接触件开口。在接触件开口中形成接触塞。本发明还提供了SRAM单元中的接触塞及其形成方法。

主权项

一种方法，包括：在静态随机存取存储器(SRAM)单元的一部分上方形成介电层，所述SRAM单元包括：第一上拉晶体管和第二上拉晶体管；第一下拉晶体管和第二下拉晶体管，与所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管形成交叉锁存的反相器；和第一传输门晶体管和第二传输门晶体管，分别连接至所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管的漏极以及所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管的漏极；在所述介电层上方形成并图案化第一掩模层；在所述介电层上方形成第二掩模层；将所述第一掩模层和所述第二掩模层结合起来用作蚀刻掩模来蚀刻所述介电层，在所述介电层中形成接触开口；以及在所述接触开口中形成接触塞。